SQD45P03-12 Todos los transistores

 

SQD45P03-12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQD45P03-12
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 616 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SQD45P03-12 Datasheet (PDF)

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 sqd45p03-12.pdf pdf_icon

SQD45P03-12

SQD45P03-12www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.010 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.024 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 50 Material categorization:Configuration Sing

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