SQD45P03-12 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQD45P03-12

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 616 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SQD45P03-12 datasheet

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SQD45P03-12

SQD45P03-12 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 30 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.010 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.024 100 % Rg and UIS Tested ID (A) - 50 Material categorization Configuration Sing

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