SQD45P03-12 Todos los transistores

 

SQD45P03-12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQD45P03-12
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 616 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de SQD45P03-12 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SQD45P03-12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  vishay
 sqd45p03-12.pdf pdf_icon

SQD45P03-12

SQD45P03-12www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.010 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.024 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 50 Material categorization:Configuration Sing

Otros transistores... SQD25N06-22L , SQD25N15-52 , SQD30N05-20L , SQD35N05-26L , SQD40N04-10A , SQD40N06-14L , SQD40N10-25 , SQD40P10-40L , CS150N03A8 , SQD50N02-04L , SQD50N03-06P , SQD50N03-09 , SQD50N03-4M0L , SQD50N04-09H , SQD50N04-3M5L , SQD50N04-4M1 , SQD50N04-4M5L .

History: IPA60R800CE | 4N60KL-TF3T-T | BSZ0703LS | CSM150 | DMN2029USD | AOT466L | 4N60KL-TND-R

 

 
Back to Top

 


 
.