SQD45P03-12. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQD45P03-12

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 616 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SQD45P03-12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD45P03-12 даташит

 ..1. Size:170K  vishay
 sqd45p03-12.pdf pdf_icon

SQD45P03-12

SQD45P03-12 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 30 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.010 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.024 100 % Rg and UIS Tested ID (A) - 50 Material categorization Configuration Sing

Другие IGBT... SQD25N06-22L, SQD25N15-52, SQD30N05-20L, SQD35N05-26L, SQD40N04-10A, SQD40N06-14L, SQD40N10-25, SQD40P10-40L, IRF520, SQD50N02-04L, SQD50N03-06P, SQD50N03-09, SQD50N03-4M0L, SQD50N04-09H, SQD50N04-3M5L, SQD50N04-4M1, SQD50N04-4M5L