Справочник MOSFET. SQD45P03-12

 

SQD45P03-12 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQD45P03-12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 616 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SQD45P03-12

 

 

SQD45P03-12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  vishay
 sqd45p03-12.pdf

SQD45P03-12 SQD45P03-12

SQD45P03-12www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.010 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.024 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 50 Material categorization:Configuration Sing

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top