SQD90P04-9M4L Todos los transistores

 

SQD90P04-9M4L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQD90P04-9M4L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 103 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 852 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0094 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SQD90P04-9M4L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  vishay
 sqd90p04-9m4l.pdf pdf_icon

SQD90P04-9M4L

SQD90P04-9m4Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0094 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0160 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 90 Material categorization:Configurati

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