SQD90P04-9M4L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQD90P04-9M4L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 852 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SQD90P04-9M4L
SQD90P04-9M4L Datasheet (PDF)
sqd90p04-9m4l.pdf
SQD90P04-9m4Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0094 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0160 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 90 Material categorization:Configurati
Другие MOSFET... SQD50N10-8M9L , SQD50N30-4M0L , SQD50P03-07 , SQD50P04-09L , SQD50P04-13L , SQD50P06-15L , SQD50P08-25L , SQD50P08-28 , RU7088R , SQD97N06-6M3L , SQJ401EP , SQJ402EP , SQJ403EEP , SQJ403EP , SQJ410EP , SQJ412EP , SQJ422EP .
History: SQD97N06-6M3L | IRFZ48R | SQD50P04-13L
History: SQD97N06-6M3L | IRFZ48R | SQD50P04-13L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet


