SQD97N06-6M3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQD97N06-6M3L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 97 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 441 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de SQD97N06-6M3L MOSFET
SQD97N06-6M3L Datasheet (PDF)
sqd97n06-6m3l.pdf

SQD97N06-6m3Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0063 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0069 AEC-Q101 QualifieddID (A) 97 Material categorization:Configuration Single
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Liste
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