SQD97N06-6M3L Todos los transistores

 

SQD97N06-6M3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQD97N06-6M3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 97 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 441 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SQD97N06-6M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  vishay
 sqd97n06-6m3l.pdf pdf_icon

SQD97N06-6M3L

SQD97N06-6m3Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0063 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0069 AEC-Q101 QualifieddID (A) 97 Material categorization:Configuration Single

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History: IPZA60R045P7 | IRFP4710PBF | 2SK740 | WMR07N03T1 | DKI10526 | AP9918J | 7N65KL-TN3-R

 

 
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