SQD97N06-6M3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQD97N06-6M3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 97 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 441 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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SQD97N06-6M3L Datasheet (PDF)

..1. Size:166K vishay
sqd97n06-6m3l.pdf

SQD97N06-6m3Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0063 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0069 AEC-Q101 QualifieddID (A) 97 Material categorization:Configuration Single

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History: BUK7M3R3-40H

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: