Справочник MOSFET. SQD97N06-6M3L

 

SQD97N06-6M3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQD97N06-6M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 97 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 441 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SQD97N06-6M3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD97N06-6M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  vishay
 sqd97n06-6m3l.pdf pdf_icon

SQD97N06-6M3L

SQD97N06-6m3Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0063 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0069 AEC-Q101 QualifieddID (A) 97 Material categorization:Configuration Single

Другие MOSFET... SQD50N30-4M0L , SQD50P03-07 , SQD50P04-09L , SQD50P04-13L , SQD50P06-15L , SQD50P08-25L , SQD50P08-28 , SQD90P04-9M4L , 2N7002 , SQJ401EP , SQJ402EP , SQJ403EEP , SQJ403EP , SQJ410EP , SQJ412EP , SQJ422EP , SQJ431EP .

 

 
Back to Top

 


 
.