SQD97N06-6M3L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQD97N06-6M3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 97 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 441 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SQD97N06-6M3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD97N06-6M3L даташит

 ..1. Size:166K  vishay
 sqd97n06-6m3l.pdf pdf_icon

SQD97N06-6M3L

SQD97N06-6m3L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0063 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0069 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 97 Material categorization Configuration Single

Другие IGBT... SQD50N30-4M0L, SQD50P03-07, SQD50P04-09L, SQD50P04-13L, SQD50P06-15L, SQD50P08-25L, SQD50P08-28, SQD90P04-9M4L, MMIS60R580P, SQJ401EP, SQJ402EP, SQJ403EEP, SQJ403EP, SQJ410EP, SQJ412EP, SQJ422EP, SQJ431EP