SQJ422EP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ422EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 553 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8L

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SQJ422EP datasheet

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SQJ422EP

SQJ422EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0034 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0043 Material categorization ID (A) 75 For definitions of compliance please see Configuration Single www.

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SQJ422EP

SQJ420EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 S www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 D S 4 1 G Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY G VDS (V) 40 R

Otros transistores... SQD90P04-9M4L, SQD97N06-6M3L, SQJ401EP, SQJ402EP, SQJ403EEP, SQJ403EP, SQJ410EP, SQJ412EP, IRFZ44N, SQJ431EP, SQJ443EP, SQJ456EP, SQJ460AEP, SQJ460EP, SQJ461EP, SQJ463EP, SQJ465EP