SQJ422EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ422EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 553 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

Аналог (замена) для SQJ422EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ422EP даташит

 ..1. Size:169K  vishay
 sqj422ep.pdf pdf_icon

SQJ422EP

SQJ422EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0034 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0043 Material categorization ID (A) 75 For definitions of compliance please see Configuration Single www.

 9.1. Size:279K  vishay
 sqj420ep.pdf pdf_icon

SQJ422EP

SQJ420EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 S www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 D S 4 1 G Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY G VDS (V) 40 R

Другие IGBT... SQD90P04-9M4L, SQD97N06-6M3L, SQJ401EP, SQJ402EP, SQJ403EEP, SQJ403EP, SQJ410EP, SQJ412EP, IRFZ44N, SQJ431EP, SQJ443EP, SQJ456EP, SQJ460AEP, SQJ460EP, SQJ461EP, SQJ463EP, SQJ465EP