Справочник MOSFET. SQJ422EP

 

SQJ422EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ422EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 553 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
 

 Аналог (замена) для SQJ422EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ422EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  vishay
 sqj422ep.pdf pdf_icon

SQJ422EP

SQJ422EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0034 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0043 Material categorization:ID (A) 75For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.

 9.1. Size:279K  vishay
 sqj420ep.pdf pdf_icon

SQJ422EP

SQJ420EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization: for definitions of compliance please see 1Swww.vishay.com/doc?999122S3DS41 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 40R

Другие MOSFET... SQD90P04-9M4L , SQD97N06-6M3L , SQJ401EP , SQJ402EP , SQJ403EEP , SQJ403EP , SQJ410EP , SQJ412EP , IRFZ44N , SQJ431EP , SQJ443EP , SQJ456EP , SQJ460AEP , SQJ460EP , SQJ461EP , SQJ463EP , SQJ465EP .

History: 3N80G-TF2-T | HX2302A | RJK0216DPA | JCS4N60V | UTT6NP10G-TN4-R | PZC502FYB | 2SK1704

 

 
Back to Top

 


 
.