SQJ431EP Todos los transistores

 

SQJ431EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQJ431EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.213 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8L
 

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SQJ431EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  vishay
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SQJ431EP

SQJ431EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 200DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.213 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 6 V 0.221 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 12 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Complian

 9.1. Size:214K  vishay
 sqj433ep.pdf pdf_icon

SQJ431EP

SQJ433EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -30 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0081 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0170 Material categorization: ID (A) -75for definitions of compliance please see Configuration Single

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History: OSG65R380FZF | 2N5198 | PV601CA | OSG80R650PF | AP65PN2R6I | RU190N10S | CHM3128JGP

 

 
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