Справочник MOSFET. SQJ431EP

 

SQJ431EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ431EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.213 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
 

 Аналог (замена) для SQJ431EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ431EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  vishay
 sqj431ep.pdf pdf_icon

SQJ431EP

SQJ431EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 200DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.213 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 6 V 0.221 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 12 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Complian

 9.1. Size:214K  vishay
 sqj433ep.pdf pdf_icon

SQJ431EP

SQJ433EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -30 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0081 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0170 Material categorization: ID (A) -75for definitions of compliance please see Configuration Single

Другие MOSFET... SQD97N06-6M3L , SQJ401EP , SQJ402EP , SQJ403EEP , SQJ403EP , SQJ410EP , SQJ412EP , SQJ422EP , IRF3205 , SQJ443EP , SQJ456EP , SQJ460AEP , SQJ460EP , SQJ461EP , SQJ463EP , SQJ465EP , SQJ469EP .

History: AP2315GEN

 

 
Back to Top

 


 
.