SQJ488EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQJ488EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 372 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQJ488EP

SQJ488EP Datasheet (PDF)

..1. Size:222K vishay
sqj488ep.pdf

SQJ488EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0210 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0258 Material categorization: ID (A) 42for definitions of compliance please Configuration Singlesee w

9.1. Size:230K vishay
sqj486ep.pdf

SQJ486EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 75 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.026 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.032 Material categorization:ID (A) 30For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vis

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History: 15N50

Liste

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