SQJ488EP Todos los transistores

 

SQJ488EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQJ488EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 372 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de SQJ488EP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SQJ488EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  vishay
 sqj488ep.pdf pdf_icon

SQJ488EP

SQJ488EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0210 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0258 Material categorization: ID (A) 42for definitions of compliance please Configuration Singlesee w

 9.1. Size:230K  vishay
 sqj486ep.pdf pdf_icon

SQJ488EP

SQJ486EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 75 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.026 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.032 Material categorization:ID (A) 30For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vis

Otros transistores... SQJ456EP , SQJ460AEP , SQJ460EP , SQJ461EP , SQJ463EP , SQJ465EP , SQJ469EP , SQJ486EP , IRF1404 , SQJ500AEP , SQJ840EP , SQJ844AEP , SQJ844EP , SQJ848AEP , SQJ848EP , SQJ850EP , SQJ858AEP .

History: BSP88 | IXFP24N60X | IXFR30N110P

 

 
Back to Top

 


 
.