SQJ488EP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ488EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 372 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8L

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SQJ488EP datasheet

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SQJ488EP

SQJ488EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 100 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0210 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0258 Material categorization ID (A) 42 for definitions of compliance please Configuration Single see w

 9.1. Size:230K  vishay
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SQJ488EP

SQJ486EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 75 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.026 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.032 Material categorization ID (A) 30 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vis

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