Справочник MOSFET. SQJ488EP

 

SQJ488EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ488EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 372 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
 

 Аналог (замена) для SQJ488EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ488EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  vishay
 sqj488ep.pdf pdf_icon

SQJ488EP

SQJ488EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0210 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0258 Material categorization: ID (A) 42for definitions of compliance please Configuration Singlesee w

 9.1. Size:230K  vishay
 sqj486ep.pdf pdf_icon

SQJ488EP

SQJ486EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 75 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.026 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.032 Material categorization:ID (A) 30For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vis

Другие MOSFET... SQJ456EP , SQJ460AEP , SQJ460EP , SQJ461EP , SQJ463EP , SQJ465EP , SQJ469EP , SQJ486EP , IRF1404 , SQJ500AEP , SQJ840EP , SQJ844AEP , SQJ844EP , SQJ848AEP , SQJ848EP , SQJ850EP , SQJ858AEP .

 

 
Back to Top

 


 
.