Справочник MOSFET. SQJ488EP

 

SQJ488EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQJ488EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 372 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

 Аналог (замена) для SQJ488EP

 

 

SQJ488EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  vishay
 sqj488ep.pdf

SQJ488EP SQJ488EP

SQJ488EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0210 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0258 Material categorization: ID (A) 42for definitions of compliance please Configuration Singlesee w

 9.1. Size:230K  vishay
 sqj486ep.pdf

SQJ488EP SQJ488EP

SQJ486EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 75 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.026 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.032 Material categorization:ID (A) 30For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vis

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQP120N06-06 | SFI9620

 

 
Back to Top