SQJ488EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ488EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 372 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

Аналог (замена) для SQJ488EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ488EP даташит

 ..1. Size:222K  vishay
 sqj488ep.pdf pdf_icon

SQJ488EP

SQJ488EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 100 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0210 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0258 Material categorization ID (A) 42 for definitions of compliance please Configuration Single see w

 9.1. Size:230K  vishay
 sqj486ep.pdf pdf_icon

SQJ488EP

SQJ486EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 75 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.026 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.032 Material categorization ID (A) 30 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vis

Другие IGBT... SQJ456EP, SQJ460AEP, SQJ460EP, SQJ461EP, SQJ463EP, SQJ465EP, SQJ469EP, SQJ486EP, IRF1404, SQJ500AEP, SQJ840EP, SQJ844AEP, SQJ844EP, SQJ848AEP, SQJ848EP, SQJ850EP, SQJ858AEP