SQJ500AEP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQJ500AEP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 218 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0092 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQJ500AEP

SQJ500AEP Datasheet (PDF)

..1. Size:264K vishay
sqj500aep.pdf

SQJ500AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N- and P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 40 -40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0092 0.0270 Material categorization: RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0112 0.0435For definitions of com

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