SQJ500AEP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ500AEP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 218 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0092 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8L

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SQJ500AEP datasheet

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SQJ500AEP

SQJ500AEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N- and P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 Qualifiedd VDS (V) 40 -40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0092 0.0270 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0112 0.0435 For definitions of com

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