Справочник MOSFET. SQJ500AEP

 

SQJ500AEP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ500AEP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
 

 Аналог (замена) для SQJ500AEP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ500AEP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  vishay
 sqj500aep.pdf pdf_icon

SQJ500AEP

SQJ500AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N- and P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 40 -40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0092 0.0270 Material categorization: RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0112 0.0435For definitions of com

Другие MOSFET... SQJ460AEP , SQJ460EP , SQJ461EP , SQJ463EP , SQJ465EP , SQJ469EP , SQJ486EP , SQJ488EP , IRFP260N , SQJ840EP , SQJ844AEP , SQJ844EP , SQJ848AEP , SQJ848EP , SQJ850EP , SQJ858AEP , SQJ858EP .

History: BSS123-7-F

 

 
Back to Top

 


 
.