SQJ500AEP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ500AEP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

Аналог (замена) для SQJ500AEP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ500AEP даташит

 ..1. Size:264K  vishay
 sqj500aep.pdf pdf_icon

SQJ500AEP

SQJ500AEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N- and P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 Qualifiedd VDS (V) 40 -40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0092 0.0270 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0112 0.0435 For definitions of com

Другие IGBT... SQJ460AEP, SQJ460EP, SQJ461EP, SQJ463EP, SQJ465EP, SQJ469EP, SQJ486EP, SQJ488EP, IRLZ44N, SQJ840EP, SQJ844AEP, SQJ844EP, SQJ848AEP, SQJ848EP, SQJ850EP, SQJ858AEP, SQJ858EP