SQJ848EP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQJ848EP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-SO-8L
Búsqueda de reemplazo de SQJ848EP MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SQJ848EP datasheet
sqj848ep.pdf
SQJ848EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0075 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0120 Material categorization ID (A) 47 For definitions of compliance please see Configuration Single www.v
sqj848aep.pdf
SQJ848AEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0076 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0086 Material categorization ID (A) 24 For definitions of compliance please see Configuration Single www
sqj844aep.pdf
SQJ844AEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0166 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0276 Material categorization ID (A) per leg 8 for definitions of compliance please Configuration Dual
sqj844ep.pdf
SQJ844EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 30 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.024 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.037 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) per leg 8 100 % Rg and UIS Tested Configuration Dual Compliant
Otros transistores... SQJ469EP, SQJ486EP, SQJ488EP, SQJ500AEP, SQJ840EP, SQJ844AEP, SQJ844EP, SQJ848AEP, IRFB4227, SQJ850EP, SQJ858AEP, SQJ858EP, SQJ884EP, SQJ886EP, SQJ910AEP, SQJ912AEP, SQJ912EP
History: H7N0405LM
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor
