SQJ848EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQJ848EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 68 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 47 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 260 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
SQJ848EP Datasheet (PDF)
sqj848ep.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SQJ848EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0075 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0120 Material categorization:ID (A) 47For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.v
sqj848aep.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SQJ848AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0076 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0086 Material categorization:ID (A) 24For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww
sqj844aep.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SQJ844AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0166 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0276 Material categorization:ID (A) per leg 8for definitions of compliance pleaseConfiguration Dual
sqj844ep.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SQJ844EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.024 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.037 AEC-Q101 QualifieddID (A) per leg 8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Compliant
sqj840ep.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SQJ840EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0093 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0138 AEC-Q101 QualifieddID (A) 30 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoH
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
![SQJ848EP](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SQJ848EP](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SQJ848EP](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C