SQJ884EP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ884EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8L

 Búsqueda de reemplazo de SQJ884EP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SQJ884EP datasheet

 ..1. Size:178K  vishay
 sqj884ep.pdf pdf_icon

SQJ884EP

SQJ884EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.006 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.008 Material categorization ID (A) 32 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vi

 9.1. Size:170K  vishay
 sqj886ep.pdf pdf_icon

SQJ884EP

SQJ886EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0045 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0055 Material categorization ID (A) 60 For definitions of compliance please see Configuration Single www.

Otros transistores... SQJ840EP, SQJ844AEP, SQJ844EP, SQJ848AEP, SQJ848EP, SQJ850EP, SQJ858AEP, SQJ858EP, IRFB4115, SQJ886EP, SQJ910AEP, SQJ912AEP, SQJ912EP, SQJ940EP, SQJ941EP, SQJ942EP, SQJ951EP