Справочник MOSFET. SQJ884EP

 

SQJ884EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ884EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
 

 Аналог (замена) для SQJ884EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ884EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  vishay
 sqj884ep.pdf pdf_icon

SQJ884EP

SQJ884EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.006 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.008 Material categorization:ID (A) 32For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vi

 9.1. Size:170K  vishay
 sqj886ep.pdf pdf_icon

SQJ884EP

SQJ886EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0045 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0055 Material categorization:ID (A) 60For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.

Другие MOSFET... SQJ840EP , SQJ844AEP , SQJ844EP , SQJ848AEP , SQJ848EP , SQJ850EP , SQJ858AEP , SQJ858EP , IRFP250N , SQJ886EP , SQJ910AEP , SQJ912AEP , SQJ912EP , SQJ940EP , SQJ941EP , SQJ942EP , SQJ951EP .

History: BSP372N | AP2319GN-HF | BSS119N

 

 
Back to Top

 


 
.