SQJ940EP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ940EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8L

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SQJ940EP datasheet

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SQJ940EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET N-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 Qualifiedd VDS (V) 40 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0160 0.0064 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0188 0.0076 For definitions of compliance p

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SQJ942EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET N-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 Qualifiedd VDS (V) 40 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.022 0.011 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.026 0.013 For definitions of compliance pleas

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SQJ946EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.033 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.039 Material categorization ID (A) per leg 15 for definitions of compliance please see Configuratio

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SQJ941EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 30 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.024 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.039 Material categorization ID (A) per leg - 8 For definitions of compliance please see Conf

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