SQJ940EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQJ940EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 9.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
SQJ940EP Datasheet (PDF)
sqj940ep.pdf
SQJ940EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 40 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0160 0.0064 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0188 0.0076For definitions of compliance p
sqj942ep.pdf
SQJ942EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 40 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.022 0.011 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.026 0.013For definitions of compliance pleas
sqj946ep.pdf
SQJ946EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.033 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.039 Material categorization:ID (A) per leg 15for definitions of compliance please see Configuratio
sqj941ep.pdf
SQJ941EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.024 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.039 Material categorization:ID (A) per leg - 8For definitions of compliance please see Conf
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: SQM120N04-02L
History: SQM120N04-02L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918