SQJ940EP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQJ940EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

Аналог (замена) для SQJ940EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ940EP даташит

 ..1. Size:260K  vishay
 sqj940ep.pdf pdf_icon

SQJ940EP

SQJ940EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET N-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 Qualifiedd VDS (V) 40 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0160 0.0064 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0188 0.0076 For definitions of compliance p

 9.1. Size:258K  vishay
 sqj942ep.pdf pdf_icon

SQJ940EP

SQJ942EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET N-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 Qualifiedd VDS (V) 40 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.022 0.011 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.026 0.013 For definitions of compliance pleas

 9.2. Size:213K  vishay
 sqj946ep.pdf pdf_icon

SQJ940EP

SQJ946EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.033 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.039 Material categorization ID (A) per leg 15 for definitions of compliance please see Configuratio

 9.3. Size:155K  vishay
 sqj941ep.pdf pdf_icon

SQJ940EP

SQJ941EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 30 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.024 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.039 Material categorization ID (A) per leg - 8 For definitions of compliance please see Conf

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQJ850EP, SQJ858AEP, SQJ858EP, SQJ884EP, SQJ886EP, SQJ910AEP, SQJ912AEP, SQJ912EP, IRFP250N, SQJ941EP, SQJ942EP, SQJ951EP, SQJ952EP, SQJ960EP, SQJ962EP, SQJ963EP, SQJ964EP