SQJ980AEP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ980AEP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8L

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SQJ980AEP datasheet

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SQJ980AEP

SQJ980AEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 75 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.050 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.066 Material categorization ID (A) per leg 8 For definitions of compliance please see Configurati

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SQJ980AEP

SQJ980EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 75 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.050 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.070 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) per leg 8 100 % Rg and UIS Tested Configuration Dual Complian

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