SQJ980AEP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQJ980AEP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

Аналог (замена) для SQJ980AEP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ980AEP даташит

 ..1. Size:734K  vishay
 sqj980aep.pdf pdf_icon

SQJ980AEP

SQJ980AEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 75 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.050 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.066 Material categorization ID (A) per leg 8 For definitions of compliance please see Configurati

 8.1. Size:153K  vishay
 sqj980ep.pdf pdf_icon

SQJ980AEP

SQJ980EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 75 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.050 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.070 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) per leg 8 100 % Rg and UIS Tested Configuration Dual Complian

Другие IGBT... SQJ951EP, SQJ952EP, SQJ960EP, SQJ962EP, SQJ963EP, SQJ964EP, SQJ968EP, SQJ970EP, K3569, SQJ980EP, SQJ992EP, SQJQ402E, SQS400EN, SQS401EN, SQS404EN, SQS405EN, SQS405ENW