Справочник MOSFET. SQJ980AEP

 

SQJ980AEP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQJ980AEP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

 Аналог (замена) для SQJ980AEP

 

 

SQJ980AEP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:734K  vishay
 sqj980aep.pdf

SQJ980AEP SQJ980AEP

SQJ980AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 75 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.050 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.066 Material categorization:ID (A) per leg 8For definitions of compliance please see Configurati

 8.1. Size:153K  vishay
 sqj980ep.pdf

SQJ980AEP SQJ980AEP

SQJ980EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 75DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.050 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.070 AEC-Q101 QualifieddID (A) per leg 8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Complian

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top