SQJ980EP Todos los transistores

 

SQJ980EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQJ980EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de SQJ980EP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SQJ980EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  vishay
 sqj980ep.pdf pdf_icon

SQJ980EP

SQJ980EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 75DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.050 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.070 AEC-Q101 QualifieddID (A) per leg 8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Complian

 8.1. Size:734K  vishay
 sqj980aep.pdf pdf_icon

SQJ980EP

SQJ980AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 75 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.050 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.066 Material categorization:ID (A) per leg 8For definitions of compliance please see Configurati

Otros transistores... SQJ952EP , SQJ960EP , SQJ962EP , SQJ963EP , SQJ964EP , SQJ968EP , SQJ970EP , SQJ980AEP , 4435 , SQJ992EP , SQJQ402E , SQS400EN , SQS401EN , SQS404EN , SQS405EN , SQS405ENW , SQS420EN .

History: PMZ950UPE | RU1HP55R | 5N65KL-TMS-T | STY34NB50 | PMZ390UNE | RU1Z200Q

 

 
Back to Top

 


 
.