SQJ980EP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ980EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8L

 Búsqueda de reemplazo de SQJ980EP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SQJ980EP datasheet

 ..1. Size:153K  vishay
 sqj980ep.pdf pdf_icon

SQJ980EP

SQJ980EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 75 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.050 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.070 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) per leg 8 100 % Rg and UIS Tested Configuration Dual Complian

 8.1. Size:734K  vishay
 sqj980aep.pdf pdf_icon

SQJ980EP

SQJ980AEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 75 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.050 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.066 Material categorization ID (A) per leg 8 For definitions of compliance please see Configurati

Otros transistores... SQJ952EP, SQJ960EP, SQJ962EP, SQJ963EP, SQJ964EP, SQJ968EP, SQJ970EP, SQJ980AEP, IRFP260, SQJ992EP, SQJQ402E, SQS400EN, SQS401EN, SQS404EN, SQS405EN, SQS405ENW, SQS420EN