SQJ980EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQJ980EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQJ980EP

SQJ980EP Datasheet (PDF)

..1. Size:153K vishay
sqj980ep.pdf

SQJ980EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 75DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.050 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.070 AEC-Q101 QualifieddID (A) per leg 8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Complian

8.1. Size:734K vishay
sqj980aep.pdf

SQJ980AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 75 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.050 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.066 Material categorization:ID (A) per leg 8For definitions of compliance please see Configurati

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Liste

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