Справочник MOSFET. SQJ980EP

 

SQJ980EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ980EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
 

 Аналог (замена) для SQJ980EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ980EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  vishay
 sqj980ep.pdf pdf_icon

SQJ980EP

SQJ980EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 75DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.050 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.070 AEC-Q101 QualifieddID (A) per leg 8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Complian

 8.1. Size:734K  vishay
 sqj980aep.pdf pdf_icon

SQJ980EP

SQJ980AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 75 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.050 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.066 Material categorization:ID (A) per leg 8For definitions of compliance please see Configurati

Другие MOSFET... SQJ952EP , SQJ960EP , SQJ962EP , SQJ963EP , SQJ964EP , SQJ968EP , SQJ970EP , SQJ980AEP , 8205A , SQJ992EP , SQJQ402E , SQS400EN , SQS401EN , SQS404EN , SQS405EN , SQS405ENW , SQS420EN .

History: AP2533GY-HF | TK31J60W5

 

 
Back to Top

 


 
.