SQJ992EP Todos los transistores

 

SQJ992EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQJ992EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0562 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de SQJ992EP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SQJ992EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  vishay
 sqj992ep.pdf pdf_icon

SQJ992EP

SQJ992EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0562 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0745 Material categorization: ID (A) per leg 8for definitions of compliance please see Configuration D

 9.1. Size:366K  vishay
 sqj990ep.pdf pdf_icon

SQJ992EP

SQJ990EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESSPowerPAK SO-8L Dual Asymmetric TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Optimized for synchronous buck applicationsD2 Material categorization: 1for definitions of compliance please seeS12www.vishay.com/doc?99912G1

Otros transistores... SQJ960EP , SQJ962EP , SQJ963EP , SQJ964EP , SQJ968EP , SQJ970EP , SQJ980AEP , SQJ980EP , 2SK3568 , SQJQ402E , SQS400EN , SQS401EN , SQS404EN , SQS405EN , SQS405ENW , SQS420EN , SQS423EN .

History: VB2140 | SQJ941EP | IPP200N25N3

 

 
Back to Top

 


 
.