Справочник MOSFET. SQJ992EP

 

SQJ992EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ992EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0562 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
 

 Аналог (замена) для SQJ992EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ992EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  vishay
 sqj992ep.pdf pdf_icon

SQJ992EP

SQJ992EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0562 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0745 Material categorization: ID (A) per leg 8for definitions of compliance please see Configuration D

 9.1. Size:366K  vishay
 sqj990ep.pdf pdf_icon

SQJ992EP

SQJ990EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESSPowerPAK SO-8L Dual Asymmetric TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Optimized for synchronous buck applicationsD2 Material categorization: 1for definitions of compliance please seeS12www.vishay.com/doc?99912G1

Другие MOSFET... SQJ960EP , SQJ962EP , SQJ963EP , SQJ964EP , SQJ968EP , SQJ970EP , SQJ980AEP , SQJ980EP , 2SK3568 , SQJQ402E , SQS400EN , SQS401EN , SQS404EN , SQS405EN , SQS405ENW , SQS420EN , SQS423EN .

History: SSM20P02GH | MCH5908

 

 
Back to Top

 


 
.