SQJ992EP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQJ992EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0562 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

Аналог (замена) для SQJ992EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ992EP даташит

 ..1. Size:223K  vishay
 sqj992ep.pdf pdf_icon

SQJ992EP

SQJ992EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0562 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0745 Material categorization ID (A) per leg 8 for definitions of compliance please see Configuration D

 9.1. Size:366K  vishay
 sqj990ep.pdf pdf_icon

SQJ992EP

SQJ990EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETs FEATURESS PowerPAK SO-8L Dual Asymmetric TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Optimized for synchronous buck applications D2 Material categorization 1 for definitions of compliance please see S1 2 www.vishay.com/doc?99912 G1

Другие IGBT... SQJ960EP, SQJ962EP, SQJ963EP, SQJ964EP, SQJ968EP, SQJ970EP, SQJ980AEP, SQJ980EP, 4435, SQJQ402E, SQS400EN, SQS401EN, SQS404EN, SQS405EN, SQS405ENW, SQS420EN, SQS423EN