SQS423EN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQS423EN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: POWERPAK1212-8

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SQS423EN datasheet

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SQS423EN

SQS423EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY AEC-Q101 Qualifiedd VDS (V) - 30 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.021 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.060 For definitions of compliance please see ID (A) - 16 www.vishay.com/d

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SQS423EN

SQS420EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 20 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0280 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 2.5 V 0.0320 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 1.8 V 0.0380 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 8

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