SQS423EN Todos los transistores

 

SQS423EN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQS423EN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK1212-8
 

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SQS423EN Datasheet (PDF)

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SQS423EN

SQS423ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY AEC-Q101 QualifieddVDS (V) - 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.021 Material categorization:RDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.060For definitions of compliance please see ID (A) - 16www.vishay.com/d

 9.1. Size:556K  vishay
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SQS423EN

SQS420ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 20DefinitionRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0280 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.0320 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 1.8 V 0.0380 100 % Rg and UIS TestedID (A) 8

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History: VN1204N2 | VBZM100N03 | FS100KMJ-03F | IXTA160N04T2 | FS10AS-2 | SQV120N10-3M8 | AON6792

 

 
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