Справочник MOSFET. SQS423EN

 

SQS423EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQS423EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK1212-8
 

 Аналог (замена) для SQS423EN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQS423EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:552K  vishay
 sqs423en.pdf pdf_icon

SQS423EN

SQS423ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY AEC-Q101 QualifieddVDS (V) - 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.021 Material categorization:RDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.060For definitions of compliance please see ID (A) - 16www.vishay.com/d

 9.1. Size:556K  vishay
 sqs420en.pdf pdf_icon

SQS423EN

SQS420ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 20DefinitionRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0280 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.0320 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 1.8 V 0.0380 100 % Rg and UIS TestedID (A) 8

Другие MOSFET... SQJ992EP , SQJQ402E , SQS400EN , SQS401EN , SQS404EN , SQS405EN , SQS405ENW , SQS420EN , IRF530 , SQS460EN , SQS462EN , SQS464EEN , SQS466EEN , SQS482EN , SQS484EN , SQS840EN , SQS850EN .

History: 5N65KG-TMS-T | R6015ANZ | FDMS2D4N03S | HSBA4052 | IRF9530NSPBF

 

 
Back to Top

 


 
.