SQS423EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQS423EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK1212-8

Аналог (замена) для SQS423EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQS423EN даташит

 ..1. Size:552K  vishay
 sqs423en.pdf pdf_icon

SQS423EN

SQS423EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY AEC-Q101 Qualifiedd VDS (V) - 30 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.021 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.060 For definitions of compliance please see ID (A) - 16 www.vishay.com/d

 9.1. Size:556K  vishay
 sqs420en.pdf pdf_icon

SQS423EN

SQS420EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 20 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0280 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 2.5 V 0.0320 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 1.8 V 0.0380 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 8

Другие IGBT... SQJ992EP, SQJQ402E, SQS400EN, SQS401EN, SQS404EN, SQS405EN, SQS405ENW, SQS420EN, IRF1010E, SQS460EN, SQS462EN, SQS464EEN, SQS466EEN, SQS482EN, SQS484EN, SQS840EN, SQS850EN