SQS464EEN Todos los transistores

 

SQS464EEN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQS464EEN

Código: Q010

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 33 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 14 nC

Tiempo de elevación (tr): 11 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.032 Ohm

Empaquetado / Estuche: PowerPAK1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQS464EEN

 

SQS464EEN Datasheet (PDF)

1.1. sqs464een.pdf Size:558K _update

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SQS464EEN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 40 Definition RDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 • Typical ESD Protection 800 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.046 • TrenchFET® Power MOSFET ID (A) 8 • AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single • 100 % Rg an

5.1. sqs466een.pdf Size:558K _update

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SQS466EEN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) () at VGS = 10 V 0.048 • Typical ESD Protection 800 Vg RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.074 • TrenchFET® Power MOSFET ID (A) 8 • AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single • 100 % Rg a

5.2. sqs462en.pdf Size:560K _update

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SQS462EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® Power MOSFET VDS (V) 60 • AEC-Q101 Qualified RDS(on) () at VGS = 10 V 0.063 • 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.082 • Material categorization: ID (A) 8 For definitions of compliance please see Configuration Single www.

 5.3. sqs460en.pdf Size:561K _update

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SQS460EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® Power MOSFET VDS (V) 60 • AEC-Q101 Qualified RDS(on) () at VGS = 10 V 0.036 • 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.048 • Material categorization: ID (A) 8 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vish

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