SQS464EEN
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQS464EEN
Маркировка: Q010
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 8
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 14
nC
trⓘ -
Время нарастания: 11
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032
Ohm
Тип корпуса:
POWERPAK1212-8
Аналог (замена) для SQS464EEN
SQS464EEN
Datasheet (PDF)
..1. Size:558K vishay
sqs464een.pdf 
SQS464EENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 Typical ESD Protection 800 VRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.046 TrenchFET Power MOSFETID (A) 8 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg an
9.1. Size:560K vishay
sqs462en.pdf 
SQS462ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.063 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.082 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please see Configuration Singlewww.
9.2. Size:558K vishay
sqs466een.pdf 
SQS466EENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.048 Typical ESD Protection 800 VgRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.074 TrenchFET Power MOSFETID (A) 8 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg a
9.3. Size:561K vishay
sqs460en.pdf 
SQS460ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.036 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.048 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vish
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.
