SQS850EN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQS850EN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0215 Ohm

Encapsulados: POWERPAK1212-8

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SQS850EN datasheet

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SQS850EN

SQS850EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0215 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0261 Material categorization ID (A) 12 for definitions of compliance please see Configuration Single www.vis

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