SQS850EN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQS850EN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0215 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK1212-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQS850EN
Principales características: SQS850EN
sqs850en.pdf
SQS850EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0215 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0261 Material categorization ID (A) 12 for definitions of compliance please see Configuration Single www.vis
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History: FS5VS-6
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