SQS850EN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQS850EN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0215 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK1212-8
Búsqueda de reemplazo de SQS850EN MOSFET
SQS850EN Datasheet (PDF)
sqs850en.pdf

SQS850ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0215 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0261 Material categorization:ID (A) 12for definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vis
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History: BL19N40-A | IRLML6401GPBF | HD830 | EFC2K107NUZ | SHD230202 | TDM31035
History: BL19N40-A | IRLML6401GPBF | HD830 | EFC2K107NUZ | SHD230202 | TDM31035



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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