SQS850EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQS850EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0215 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK1212-8

Аналог (замена) для SQS850EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQS850EN даташит

 ..1. Size:616K  vishay
 sqs850en.pdf pdf_icon

SQS850EN

SQS850EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0215 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0261 Material categorization ID (A) 12 for definitions of compliance please see Configuration Single www.vis

Другие IGBT... SQS423EN, SQS460EN, SQS462EN, SQS464EEN, SQS466EEN, SQS482EN, SQS484EN, SQS840EN, IRFP450, SQV120N10-3M8, SQV90N06-05, SRADM1002, SRADM1003, SRADM1004, SRADM1005, SRADM1006, SRADM1007