Справочник MOSFET. SQS850EN

 

SQS850EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQS850EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0215 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK1212-8
 

 Аналог (замена) для SQS850EN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQS850EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:616K  vishay
 sqs850en.pdf pdf_icon

SQS850EN

SQS850ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0215 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0261 Material categorization:ID (A) 12for definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vis

Другие MOSFET... SQS423EN , SQS460EN , SQS462EN , SQS464EEN , SQS466EEN , SQS482EN , SQS484EN , SQS840EN , IRF1407 , SQV120N10-3M8 , SQV90N06-05 , SRADM1002 , SRADM1003 , SRADM1004 , SRADM1005 , SRADM1006 , SRADM1007 .

History: HCT70R1K1 | HMS38N60T | NVMFD5C470NL | SVF23N50PN | 2SK538 | QM3004N3 | S15H11RP

 

 
Back to Top

 


 
.