SRC11N65TC Todos los transistores

 

SRC11N65TC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SRC11N65TC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 131.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 782 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.348 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220C

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