SRC11N65TC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SRC11N65TC  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 131.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 782 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.348 Ohm

Encapsulados: TO-220C

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SRC11N65TC datasheet

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SRC11N65TC

Datasheet 11A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC11N65 General Description Symbol The Sanrise SRC11N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding ef

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