SRC11N65TC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SRC11N65TC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 131.6 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 700 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 11 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.9 V

Carga de compuerta (Qg): 27.8 nC

Tiempo de elevación (tr): 14.1 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 782 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.348 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220C

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SRC11N65TC Datasheet (PDF)

2.1. src11n65.pdf Size:468K _upd

Datasheet 11A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC11N65 General Description Symbol The Sanrise SRC11N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding ef

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