SRC11N65TC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SRC11N65TC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 782 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.348 Ohm

Тип корпуса: TO-220C

Аналог (замена) для SRC11N65TC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRC11N65TC даташит

 6.1. Size:468K  sanrise-tech
 src11n65.pdf pdf_icon

SRC11N65TC

Datasheet 11A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC11N65 General Description Symbol The Sanrise SRC11N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding ef

Другие IGBT... SQV90N06-05, SRADM1002, SRADM1003, SRADM1004, SRADM1005, SRADM1006, SRADM1007, SRADM1008, RFP50N06, SRC11N65TF, SRC4N65D1, SRC4N65DTR, SRC4N65TC, SRC4N65TF, SRC7N65D1, SRC7N65DTR, SRC7N65TC