Справочник MOSFET. SRC11N65TC

 

SRC11N65TC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SRC11N65TC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 782 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.348 Ohm
   Тип корпуса: TO-220C
 

 Аналог (замена) для SRC11N65TC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRC11N65TC Datasheet (PDF)

 6.1. Size:468K  sanrise-tech
 src11n65.pdf pdf_icon

SRC11N65TC

Datasheet 11A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC11N65General Description Symbol The Sanrise SRC11N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable forapplications which require superior power density and outstanding ef

Другие MOSFET... SQV90N06-05 , SRADM1002 , SRADM1003 , SRADM1004 , SRADM1005 , SRADM1006 , SRADM1007 , SRADM1008 , SKD502T , SRC11N65TF , SRC4N65D1 , SRC4N65DTR , SRC4N65TC , SRC4N65TF , SRC7N65D1 , SRC7N65DTR , SRC7N65TC .

History: SST215 | IRF9610PBF | STP14NK60ZFP | BRD4N65S | 2SK1287

 

 
Back to Top

 


 
.