SRC4N65DTR Todos los transistores

 

SRC4N65DTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SRC4N65DTR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 52 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 700 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.49 V

Carga de compuerta (Qg): 13.2 nC

Tiempo de elevación (tr): 11.8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 298 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.935 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252

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SRC4N65DTR Datasheet (PDF)

3.1. src4n65.pdf Size:511K _upd

SRC4N65DTR
SRC4N65DTR

Datasheet 4A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC4N65 General Description Symbol The Sanrise SRC4N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding effic

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 
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