SRC4N65DTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SRC4N65DTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.49 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 298 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.935 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SRC4N65DTR

SRC4N65DTR Datasheet (PDF)

7.1. Size:511K sanrise-tech
src4n65.pdf

Datasheet 4A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC4N65General Description Symbol The Sanrise SRC4N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable forapplications which require superior power density and outstanding effic

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Liste

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