SRC4N65DTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SRC4N65DTR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 52 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.49 V
Carga de la puerta (Qg): 13.2 nC
Tiempo de subida (tr): 11.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 298 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.935 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SRC4N65DTR
SRC4N65DTR Datasheet (PDF)
7.1. Size:511K sanrise-tech
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Datasheet 4A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC4N65General Description Symbol The Sanrise SRC4N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable forapplications which require superior power density and outstanding effic
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SRC70R670E | CEU06N7
