SRC4N65DTR - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SRC4N65DTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SRC4N65DTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.49 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 298 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.935 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SRC4N65DTR

КУПИТЬ ТРАНЗИСТОРЫ