Справочник MOSFET. SRC4N65DTR

 

SRC4N65DTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SRC4N65DTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 298 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.935 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SRC4N65DTR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRC4N65DTR Datasheet (PDF)

 7.1. Size:511K  sanrise-tech
 src4n65.pdf pdf_icon

SRC4N65DTR

Datasheet 4A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC4N65General Description Symbol The Sanrise SRC4N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable forapplications which require superior power density and outstanding effic

Другие MOSFET... SRADM1004 , SRADM1005 , SRADM1006 , SRADM1007 , SRADM1008 , SRC11N65TC , SRC11N65TF , SRC4N65D1 , 75N75 , SRC4N65TC , SRC4N65TF , SRC7N65D1 , SRC7N65DTR , SRC7N65TC , SRC7N65TF , SRK7002LT1G , SRM10N60TF .

History: FQP7N40 | SSF3904A | BLM3415 | IRFS3307PBF | SRC7N65D1 | NTMFS5C430NLT1G | BL10N65A-P

 

 
Back to Top

 


 
.