SS05N70 Todos los transistores

 

SS05N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SS05N70

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 28 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 700 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Carga de compuerta (Qg): 10.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 5.9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 18 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-251

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SS05N70 Datasheet (PDF)

1.1. ss05n70.pdf Size:942K _upd

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MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 700V 700V CoolMOS C6 Power Transistor SS05N70 Data Sheet ev. .0 in l Industrial & Multimarket 700V CoolMOS C6 Power Transistor SS05N70 IPAK SL 1 Descriptiסn t b CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the superjunction (S ) principle and pioneered by Infineo

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