SS05N70 Todos los transistores

 

SS05N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SS05N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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SS05N70 Datasheet (PDF)

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SS05N70

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 700V700V CoolMOS C6 Power TransistorSS05N70Data Sheet ev. .0 in lIndustrial & Multimarket700V CoolMOS C6 Power TransistorSS05N70IPAK SL1 Descriptint bCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs designed according to the superjunction (S ) principle andpioneered by Infineo

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History: WM02N08H | IRF1405SPBF | BRCS70N08IP | KI8205T | TPC8047-H | FQB5N20TM | GWM13S65YRE

 

 
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