SS05N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SS05N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 28 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 700 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 3.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V
Carga de compuerta (Qg): 10.5 nC
Tiempo de elevación (tr): 5.9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 18 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.4 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SS05N70
SS05N70 Datasheet (PDF)
1.1. ss05n70.pdf 
Size:942K _upd
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 700V 700V CoolMOS C6 Power Transistor SS05N70 Data Sheet ev. .0 in l Industrial & Multimarket 700V CoolMOS C6 Power Transistor SS05N70 IPAK SL 1 Descriptiסn t b CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the superjunction (S ) principle and pioneered by Infineo
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
