SS05N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SS05N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 28 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 700 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 3.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V
Carga de compuerta (Qg): 10.5 nC
Tiempo de elevación (tr): 5.9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 18 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.4 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-251
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SS05N70 Datasheet (PDF)
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MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 700V 700V CoolMOS C6 Power Transistor SS05N70 Data Sheet ev. .0 in l Industrial & Multimarket 700V CoolMOS C6 Power Transistor SS05N70 IPAK SL 1 Descriptiסn t b CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the superjunction (S ) principle and pioneered by Infineo
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