SS05N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SS05N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de SS05N70 MOSFET
SS05N70 Datasheet (PDF)
ss05n70.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 700V700V CoolMOS C6 Power TransistorSS05N70Data Sheet ev. .0 in lIndustrial & Multimarket700V CoolMOS C6 Power TransistorSS05N70IPAK SL1 Descriptint bCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs designed according to the superjunction (S ) principle andpioneered by Infineo
Otros transistores... SRM6N60TF , SRM6N70 , SRM7N60 , SRM7N65 , SRM7N65D1-E1 , SRM7N65DTR-E1 , SRM7N65TF-E1 , SRM7N65TC-E1 , IRF840 , SS07N70 , SSD80N03 , SSFM2506L , SSFM2508 , ST1002 , ST1004SRG , ST1005SRG , ST10E4 .
History: 2SJ463
History: 2SJ463
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM1030MA | AGM1010A-F | AGM1010A-E | AGM1010A2 | AGM08T15C | AGM085N10F | AGM085N10C1 | AGM085N10C | AGM065N10D | AGM065N10C | AGM056N10H | AGM056N10C | AGM056N10A | AGM056N08C | AGM042N10D | AGM10N15D
Popular searches
2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568

