SS05N70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SS05N70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для SS05N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SS05N70 даташит

 ..1. Size:942K  infineon
 ss05n70.pdf pdf_icon

SS05N70

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 700V 700V CoolMOS C6 Power Transistor SS05N70 Data Sheet ev. .0 in l Industrial & Multimarket 700V CoolMOS C6 Power Transistor SS05N70 IPAK SL 1 Descripti n t b CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the superjunction (S ) principle and pioneered by Infineo

Другие IGBT... SRM6N60TF, SRM6N70, SRM7N60, SRM7N65, SRM7N65D1-E1, SRM7N65DTR-E1, SRM7N65TF-E1, SRM7N65TC-E1, 20N60, SS07N70, SSD80N03, SSFM2506L, SSFM2508, ST1002, ST1004SRG, ST1005SRG, ST10E4