SS07N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SS07N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15.3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SS07N70
SS07N70 Datasheet (PDF)
ss07n70.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 700V700V CoolMOS C6 Power TransistorSS07N70Data Sheet ev. 0 in lIndustrial & Multimarket700V CoolMOS C6 Power TransistorSS07N70IPAK SL1 Descriptint bCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs designed according to the superjunction (S ) principle andpioneered by Infineon
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918