SS07N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SS07N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de SS07N70 MOSFET
SS07N70 Datasheet (PDF)
ss07n70.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 700V700V CoolMOS C6 Power TransistorSS07N70Data Sheet ev. 0 in lIndustrial & Multimarket700V CoolMOS C6 Power TransistorSS07N70IPAK SL1 Descriptint bCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs designed according to the superjunction (S ) principle andpioneered by Infineon
Otros transistores... SRM6N70 , SRM7N60 , SRM7N65 , SRM7N65D1-E1 , SRM7N65DTR-E1 , SRM7N65TF-E1 , SRM7N65TC-E1 , SS05N70 , IRF540 , SSD80N03 , SSFM2506L , SSFM2508 , ST1002 , ST1004SRG , ST1005SRG , ST10E4 , ST12N10D .
History: IPD25CN10N | SSFT3904 | 2SK1757 | IRF5305STR | TK6A65W
History: IPD25CN10N | SSFT3904 | 2SK1757 | IRF5305STR | TK6A65W



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004