Справочник MOSFET. SS07N70

 

SS07N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SS07N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для SS07N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SS07N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:945K  infineon
ss07n70.pdfpdf_icon

SS07N70

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 700V700V CoolMOS C6 Power TransistorSS07N70Data Sheet ev. 0 in lIndustrial & Multimarket700V CoolMOS C6 Power TransistorSS07N70IPAK SL1 Descriptint bCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs designed according to the superjunction (S ) principle andpioneered by Infineon

Другие MOSFET... SRM6N70 , SRM7N60 , SRM7N65 , SRM7N65D1-E1 , SRM7N65DTR-E1 , SRM7N65TF-E1 , SRM7N65TC-E1 , SS05N70 , IRF540 , SSD80N03 , SSFM2506L , SSFM2508 , ST1002 , ST1004SRG , ST1005SRG , ST10E4 , ST12N10D .

History: MTA55N02N3 | WMO13N10TS

 

 
Back to Top

 


 
.