SSD80N03 Todos los transistores

 

SSD80N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSD80N03
   Código: 80N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 267 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SSD80N03 Datasheet (PDF)

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SSD80N03

SSD80N03 80A , 30V , RDS(ON) 5.5m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION TO-252(D-Pack) The SSD80N03 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDS(ON) and gate charge for most of the synchronous buck converter

Otros transistores... SRM7N60 , SRM7N65 , SRM7N65D1-E1 , SRM7N65DTR-E1 , SRM7N65TF-E1 , SRM7N65TC-E1 , SS05N70 , SS07N70 , IRF540N , SSFM2506L , SSFM2508 , ST1002 , ST1004SRG , ST1005SRG , ST10E4 , ST12N10D , ST13P10 .

 

 
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