Справочник MOSFET. SSD80N03

 

SSD80N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSD80N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SSD80N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSD80N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  secos
 ssd80n03.pdf pdf_icon

SSD80N03

SSD80N03 80A , 30V , RDS(ON) 5.5m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION TO-252(D-Pack) The SSD80N03 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDS(ON) and gate charge for most of the synchronous buck converter

Другие MOSFET... SRM7N60 , SRM7N65 , SRM7N65D1-E1 , SRM7N65DTR-E1 , SRM7N65TF-E1 , SRM7N65TC-E1 , SS05N70 , SS07N70 , IRF540N , SSFM2506L , SSFM2508 , ST1002 , ST1004SRG , ST1005SRG , ST10E4 , ST12N10D , ST13P10 .

History: IRL520LPBF | AP9987GH | STI11NM60ND

 

 
Back to Top

 


 
.