ST10E4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ST10E4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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ST10E4 datasheet

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ST10E4

ST10E4 N Channel Enhancement Mode MOSFET 3.0A DESCRIPTION The ST10E4 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produce using high cell density, DMOS trench technology. This high-density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These device are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebo

Otros transistores... SS05N70, SS07N70, SSD80N03, SSFM2506L, SSFM2508, ST1002, ST1004SRG, ST1005SRG, IRLZ44N, ST12N10D, ST13P10, ST2300, ST2300SRG, ST2301A, ST2302, ST2303SRG, ST2304