ST10E4 Todos los transistores

 

ST10E4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ST10E4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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ST10E4 Datasheet (PDF)

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ST10E4

ST10E4 N Channel Enhancement Mode MOSFET 3.0A DESCRIPTION The ST10E4 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produce using high cell density, DMOS trench technology. This high-density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These device are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebo

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History: MTB1D7N03ATH8 | AS60N20S | AFN5904W | 2SK1185 | SSPL6022 | SI7135DP | IRF630N

 

 
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