ST10E4 Todos los transistores

 

ST10E4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ST10E4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de ST10E4 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ST10E4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1738K  stansontech
 st10e4.pdf pdf_icon

ST10E4

ST10E4 N Channel Enhancement Mode MOSFET 3.0A DESCRIPTION The ST10E4 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produce using high cell density, DMOS trench technology. This high-density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These device are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebo

Otros transistores... SS05N70 , SS07N70 , SSD80N03 , SSFM2506L , SSFM2508 , ST1002 , ST1004SRG , ST1005SRG , IRFB4110 , ST12N10D , ST13P10 , ST2300 , ST2300SRG , ST2301A , ST2302 , ST2303SRG , ST2304 .

History: AP20N15AGH-HF | TPC8123 | NTD80N02G | SIR492DP | KP771A | IRFS620B | GM4947

 

 
Back to Top

 


 
.