ST10E4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ST10E4
Маркировка: E4YA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 43 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.16 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
ST10E4 Datasheet (PDF)
..1. Size:1738K stansontech
st10e4.pdf
st10e4.pdf
ST10E4 N Channel Enhancement Mode MOSFET 3.0A DESCRIPTION The ST10E4 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produce using high cell density, DMOS trench technology. This high-density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These device are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebo
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: BSS123WQ
