ST10E4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST10E4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для ST10E4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ST10E4 даташит

 ..1. Size:1738K  stansontech
 st10e4.pdf pdf_icon

ST10E4

ST10E4 N Channel Enhancement Mode MOSFET 3.0A DESCRIPTION The ST10E4 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produce using high cell density, DMOS trench technology. This high-density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These device are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebo

Другие IGBT... SS05N70, SS07N70, SSD80N03, SSFM2506L, SSFM2508, ST1002, ST1004SRG, ST1005SRG, IRLZ44N, ST12N10D, ST13P10, ST2300, ST2300SRG, ST2301A, ST2302, ST2303SRG, ST2304