Справочник MOSFET. ST10E4

 

ST10E4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ST10E4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для ST10E4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ST10E4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1738K  stansontech
 st10e4.pdf pdf_icon

ST10E4

ST10E4 N Channel Enhancement Mode MOSFET 3.0A DESCRIPTION The ST10E4 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produce using high cell density, DMOS trench technology. This high-density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These device are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebo

Другие MOSFET... SS05N70 , SS07N70 , SSD80N03 , SSFM2506L , SSFM2508 , ST1002 , ST1004SRG , ST1005SRG , IRFP260N , ST12N10D , ST13P10 , ST2300 , ST2300SRG , ST2301A , ST2302 , ST2303SRG , ST2304 .

History: NTMFS4823N | IRLZ44PBF | YSP040N010T1A | SSG4502CE | PTF4N65 | IRFBA90N20D | BRGN250N65YK

 

 
Back to Top

 


 
.