ST13P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ST13P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: TO-251 TO-252

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ST13P10 datasheet

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ST13P10

ST13P10 P Channel Enhancement Mode MOSFET -13.0A DESCRIPTION ST13P10 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The ST13P10 has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been

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