ST13P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST13P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для ST13P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ST13P10 даташит

 ..1. Size:379K  stansontech
 st13p10.pdf pdf_icon

ST13P10

ST13P10 P Channel Enhancement Mode MOSFET -13.0A DESCRIPTION ST13P10 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The ST13P10 has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been

Другие IGBT... SSD80N03, SSFM2506L, SSFM2508, ST1002, ST1004SRG, ST1005SRG, ST10E4, ST12N10D, IRF640N, ST2300, ST2300SRG, ST2301A, ST2302, ST2303SRG, ST2304, ST2304SRG, ST2305