ST13P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ST13P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 58 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: TO-251 TO-252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
ST13P10 Datasheet (PDF)
st13p10.pdf

ST13P10 P Channel Enhancement Mode MOSFET -13.0A DESCRIPTION ST13P10 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The ST13P10 has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: AP4N4R2H | YTF840 | BSS138A | STF20NM60D | AONU32320 | 2SJ542
History: AP4N4R2H | YTF840 | BSS138A | STF20NM60D | AONU32320 | 2SJ542



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404