ST36N10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ST36N10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ST36N10D

ST36N10D Datasheet (PDF)

..1. Size:1277K stansontech
st36n10d.pdf

ST36N10D N Channel Enhancement Mode MOSFET 36.0A DESCRIPTION STN36N10D is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. PIN CONFIGURATION (D-PAK) FEATURE 100V/20.0A, RDS(ON) = 40m (Typ.) TO-252 TO-251 @VGS = 10V 100V/20.0A, RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V Super high densi

9.1. Size:497K stansontech
st36n06.pdf

ST36N06 N Channel Enhancement Mode MOSFET 36.0A DESCRIPTION ST36N06 is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. PIN CONFIGURATION FEATURE TO220-3L 60V/20.0A, RDS(ON) = 30m (Typ.) @VGS = 10V 60V/20.0A, RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V Super high density cell design f

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Liste

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