ST36N10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ST36N10D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 36 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 61 nC
Tiempo de subida (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.048 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ST36N10D
ST36N10D Datasheet (PDF)
st36n10d.pdf
ST36N10D N Channel Enhancement Mode MOSFET 36.0A DESCRIPTION STN36N10D is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. PIN CONFIGURATION (D-PAK) FEATURE 100V/20.0A, RDS(ON) = 40m (Typ.) TO-252 TO-251 @VGS = 10V 100V/20.0A, RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V Super high densi
st36n06.pdf
ST36N06 N Channel Enhancement Mode MOSFET 36.0A DESCRIPTION ST36N06 is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. PIN CONFIGURATION FEATURE TO220-3L 60V/20.0A, RDS(ON) = 30m (Typ.) @VGS = 10V 60V/20.0A, RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V Super high density cell design f
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