Справочник MOSFET. ST36N10D

 

ST36N10D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ST36N10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: TO-251 TO-252
 

 Аналог (замена) для ST36N10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ST36N10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1277K  stansontech
 st36n10d.pdf pdf_icon

ST36N10D

ST36N10D N Channel Enhancement Mode MOSFET 36.0A DESCRIPTION STN36N10D is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. PIN CONFIGURATION (D-PAK) FEATURE 100V/20.0A, RDS(ON) = 40m (Typ.) TO-252 TO-251 @VGS = 10V 100V/20.0A, RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V Super high densi

 9.1. Size:497K  stansontech
 st36n06.pdf pdf_icon

ST36N10D

ST36N06 N Channel Enhancement Mode MOSFET 36.0A DESCRIPTION ST36N06 is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. PIN CONFIGURATION FEATURE TO220-3L 60V/20.0A, RDS(ON) = 30m (Typ.) @VGS = 10V 60V/20.0A, RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V Super high density cell design f

Другие MOSFET... ST3406SRG , ST3407S23RG , ST3407SRG , ST3413A , ST3414A , ST3421SRG , ST3422A , ST36N06 , TK10A60D , ST47P06D , ST75N75 , ST9435A , ST9435GP , SUB65P04-15 , SUB75P03-07 , SUB85N10-10 , SUD06N10-225L .

History: STT4P3LLH6 | OSG55R380AF | STFI15NM65N

 

 
Back to Top

 


 
.