ST36N10D - описание и поиск аналогов

 

ST36N10D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST36N10D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для ST36N10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ST36N10D даташит

 ..1. Size:1277K  stansontech
 st36n10d.pdf pdf_icon

ST36N10D

ST36N10D N Channel Enhancement Mode MOSFET 36.0A DESCRIPTION STN36N10D is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. PIN CONFIGURATION (D-PAK) FEATURE 100V/20.0A, RDS(ON) = 40m (Typ.) TO-252 TO-251 @VGS = 10V 100V/20.0A, RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V Super high densi

 9.1. Size:497K  stansontech
 st36n06.pdf pdf_icon

ST36N10D

ST36N06 N Channel Enhancement Mode MOSFET 36.0A DESCRIPTION ST36N06 is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. PIN CONFIGURATION FEATURE TO220-3L 60V/20.0A, RDS(ON) = 30m (Typ.) @VGS = 10V 60V/20.0A, RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V Super high density cell design f

Другие MOSFET... ST3406SRG , ST3407S23RG , ST3407SRG , ST3413A , ST3414A , ST3421SRG , ST3422A , ST36N06 , 13N50 , ST47P06D , ST75N75 , ST9435A , ST9435GP , SUB65P04-15 , SUB75P03-07 , SUB85N10-10 , SUD06N10-225L .

History: SUD23N06-31 | RUF025N02

 

 

 

 

↑ Back to Top
.