ST47P06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ST47P06D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 460 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de ST47P06D MOSFET
ST47P06D Datasheet (PDF)
st47p06d.pdf

ST47P06D P Channel Enhancement Mode MOSFET -47.0A DESCRIPTION ST47P06D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These device is particularly suited for low voltage application, notebook computer power
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History: SM1F15NSV | IPB60R040C7 | HSU4N65 | IRF614SPBF | WNM2021 | H8N65P | NTMFS5H409NL
History: SM1F15NSV | IPB60R040C7 | HSU4N65 | IRF614SPBF | WNM2021 | H8N65P | NTMFS5H409NL



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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