Справочник MOSFET. ST47P06D

 

ST47P06D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ST47P06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 460 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для ST47P06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ST47P06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:696K  stansontech
 st47p06d.pdf pdf_icon

ST47P06D

ST47P06D P Channel Enhancement Mode MOSFET -47.0A DESCRIPTION ST47P06D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These device is particularly suited for low voltage application, notebook computer power

Другие MOSFET... ST3407S23RG , ST3407SRG , ST3413A , ST3414A , ST3421SRG , ST3422A , ST36N06 , ST36N10D , RFP50N06 , ST75N75 , ST9435A , ST9435GP , SUB65P04-15 , SUB75P03-07 , SUB85N10-10 , SUD06N10-225L , SUD08P06-155L .

History: SI2318CDS-T1-GE3 | VSA007N02KD | NTMFS4927N

 

 
Back to Top

 


 
.