ST47P06D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ST47P06D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 460 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для ST47P06D
ST47P06D Datasheet (PDF)
st47p06d.pdf

ST47P06D P Channel Enhancement Mode MOSFET -47.0A DESCRIPTION ST47P06D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These device is particularly suited for low voltage application, notebook computer power
Другие MOSFET... ST3407S23RG , ST3407SRG , ST3413A , ST3414A , ST3421SRG , ST3422A , ST36N06 , ST36N10D , 5N60 , ST75N75 , ST9435A , ST9435GP , SUB65P04-15 , SUB75P03-07 , SUB85N10-10 , SUD06N10-225L , SUD08P06-155L .
History: FQB8N60C | AOB2910L | BSS223PW | HY3007PS | MEM2307M3G | BSH121 | SDF120NA20HI
History: FQB8N60C | AOB2910L | BSS223PW | HY3007PS | MEM2307M3G | BSH121 | SDF120NA20HI



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement